TS200手動(dòng)探針臺(tái)

產(chǎn)品介紹：

TS200探針臺(tái)應(yīng)用于半導(dǎo)體晶圓級(jí)、器件類電學(xué)特性，具備單手可快速拖動(dòng)樣品臺(tái)，快速位移到所需位置，并且有著獨(dú)特Platen平臺(tái)設(shè)計(jì)，測(cè)試重復(fù)性顯著提高95%。

產(chǎn)品優(yōu)勢(shì)：

1、氣浮式樣品移動(dòng)系統(tǒng)

MPI獨(dú)特的氣墊載物臺(tái)設(shè)計(jì)，單手控制，為操作人員提供了很強(qiáng)的便利性，可實(shí)現(xiàn)快速XY導(dǎo)航和快速晶圓裝載，同時(shí)又不影響精確的定位功能。

2、高度調(diào)整

針座平臺(tái)具備25毫米的精細(xì)高度調(diào)節(jié)，以支持各種應(yīng)用。獨(dú)特的1mm刻度可精確的顯示當(dāng)前位置。

3、多種卡盤選項(xiàng)

手動(dòng)系統(tǒng)可提供多種卡盤選項(xiàng)，以滿足不同的預(yù)算和應(yīng)用需求。卡盤選件包括MPI的同軸、三軸、高功率chuck或各種ERS高低溫chuck，以支持高達(dá)300°C的溫度測(cè)量。

4、緊湊堅(jiān)固的 Platen 平臺(tái)

緊湊而堅(jiān)固的壓盤設(shè)計(jì)可容納多達(dá)10個(gè)DC或四個(gè)RF MicroPositioner，滿足各種應(yīng)用需求。

5、多種光學(xué)系統(tǒng)選擇

提供多種光學(xué)器件，如單筒金相顯微鏡SZ10或MZ12之間進(jìn)行選擇。

6、振動(dòng)隔離平臺(tái)

手動(dòng)系統(tǒng)包括減震基座，以實(shí)現(xiàn)穩(wěn)定可靠的探針與待測(cè)器件的長(zhǎng)期接觸，從而確保可靠穩(wěn)定的測(cè)量結(jié)果。

7、屏蔽系統(tǒng)

暗箱為超低噪聲直流測(cè)量提供EMI屏蔽和不透光的測(cè)試環(huán)境。

產(chǎn)品應(yīng)用：

適用于多種晶圓量測(cè)應(yīng)用，如組件特性描述和建模，晶圓級(jí)可靠性 (WLR)、失效分析 (FA)、集成電路工程、微型機(jī)電系統(tǒng) (MEMS) 和高功率 (HP)。

TS2000-SE半自動(dòng)探針臺(tái)

產(chǎn)品介紹：

MPI的TS2000-SE/8寸半自動(dòng)探針臺(tái)是具有創(chuàng)新功能的200mm自動(dòng)化晶圓測(cè)試系統(tǒng)，其包含獨(dú)特的側(cè)面自動(dòng)裝卸功能和超高屏蔽下的超低噪聲環(huán)境。

產(chǎn)品概要：

1、ShielDEnvironment

MPI ShielDEnvironment是一個(gè)高性能的微屏蔽暗箱，可為超低噪聲，低電容測(cè)量提供出色的EMI和不透光的屏蔽測(cè)試環(huán)境

2、自動(dòng)化晶圓裝載系統(tǒng)

該功能提供了非常方便的晶圓裝載，并且易于針對(duì)自動(dòng)程序進(jìn)行預(yù)對(duì)準(zhǔn)，可支持100mm、150mm、200mm等不同尺寸的晶圓，針對(duì)高低溫環(huán)境下可提高測(cè)試效率

3、ERS獨(dú)特的 AC3冷卻技術(shù)

MPI旗下全系列探針臺(tái)系統(tǒng)均采用ERS的AC3冷卻技術(shù)和自我管理系統(tǒng)，可使用回收的冷卻空氣吹掃M(jìn)PI ShielDEnvironment，可大幅減少30%至50%的空氣消耗

4、側(cè)視影像系統(tǒng)(VCE)

借助MPI8寸探針臺(tái)獨(dú)特的自動(dòng)側(cè)視– VCE影像系統(tǒng)可視化的觀察探針針尖與樣品之間的接觸，使用DC或RF等探針卡非常安全

產(chǎn)品應(yīng)用：

1、模塊量測(cè) - DC-IV / DC-CV / Pulse-IV

2、射頻和毫米波 - 26 GHz 至 110 GHz 及以上

3、失效分析 - 探針卡 / 節(jié)間探測(cè)

4、可靠性測(cè)試 - 熱/ 冷 / 長(zhǎng)時(shí)間測(cè)試

5、高功率測(cè)試 - 至高 10 kV / 600 A

6、MPI ShielDEnvironment™ 屏蔽環(huán)境，專為 EMI / RFI / Light-Tight 屏蔽所設(shè)計(jì)的精密量測(cè)環(huán)境

7、支持飛安級(jí)低漏電值量測(cè)

8、支持溫度范圍 -60 °C 至 300 °C