單拋片：單面拋光

Okmetic 的單面拋光片（SSP）是表面 MEMS、封蓋和射頻、功率器件的理想襯底。

晶體生長技術是 Okmetic 的關鍵技術之一，為自主和分包的定制單拋片解決方案奠定了重要基礎。我們的目標是為客戶提供全面的晶體材料，以及滿足不同技術需求的硅片產品。

我們的 RFSi®高阻片產線包括射頻濾波器的單拋片、功率半導體的中低阻單拋片（滿足不同功率器件的需求）。在此頁面我們主要為您介紹滿足表面 MEMS 和封蓋需求的普通電阻率單拋片。許多 MEMS 器件（例如壓力傳感器、加速度計和陀螺儀）通常都會使用單拋片或雙拋片作為其硅基襯底，不過出于成本效益的考慮，長期以來 SOI 硅片的需求一直在增加。

單拋片（SSP）的能力

Okmetic 的單拋片（SSP）和客戶的工藝受益于我們自主的長晶技術。我們對潔凈度和質量有著極高的要求，因此 Okmetic 的150至200毫米的單面拋光片（SSP）能夠兼容嚴苛的工藝生產線。此外，我們的 SSP 硅片具有出色的厚度和平整度。因為某些特種器件或應用設備需要非常薄/厚的單拋片作為硅基襯底，Okmetic 還提供非標準厚度的 SSP 硅片。譬如厚硅片適用于氮化鎵（GaN）外延沉淀。

Okmetic 有多種150至200毫米的 SSP 硅片可供選擇：硅片摻雜劑包括砷、磷和硼。晶向選擇為<100>、<110>、<111>或偏向，厚度范圍從400至1150微米，電阻率范圍從 < 0.001 至 > 7,000歐姆-厘米。背面處理方式為蝕刻、Polyback 或 LTO 背封層結構。

單拋片：單面拋光

單拋片：單面拋光

單拋片規格

長晶方式	Cz, MCz, A-MCz®
直徑	150 mm, 200 mm
晶向	<100>, <110>,<111>或偏向
N 型摻雜劑	砷、磷
P 型摻雜劑	硼
電阻率	從 < 0.001 至 > 7,000歐姆-厘米，工程超高阻片可達到10000歐姆-厘米的電阻率
厚度	150毫米硅片的厚度為400 – 1150微米；200毫米硅片的厚度為550 – 1150微米
背面	蝕刻、Polyback 、LTO 背封層結構

 

單拋片：單面拋光

單拋片：單面拋光