RFSi?硅片：射頻濾波器的高阻片

Okmetic 的 RFSi®高阻片是制造射頻濾波器和設備的硅基襯底。其 RFSi®高阻片提高了射頻設備的性能和使用成本，并可以實現更復雜的設計。

Okmetic 是射頻濾波器市場上先進的硅基襯底供應商，多年來公司一直專注于射頻濾波器硅晶圓的解決方案。Okmetic 已為射頻濾波器市場交付了超過200萬片硅晶圓，2021年相比2020年實現了交付量的翻翻。Okmetic 的 RFSi®高阻片是體聲波（BAW）濾波器、薄膜聲表面波（TF-SAW）濾波器、IPD 設備、功率放大器、RFIC 應用和硅中介層等的硅基襯底。這些濾波器和設備用于智能手機和通信設備，可實現 5G 和 4G 技術中更快的數據傳輸速度和更大的容量。

Okmetic 的 RFSi®高阻片產品組合提供了一系列特種硅片，將高達10000歐姆-厘米的體電阻率和先進的表面工程相結合。此類硅片的長晶方式是 A-MCz®（Okmetic 已注冊該商標），其制備方法包括富陷阱層和先進的平面化技術。Okmetic 的 RFSi®高阻片擁有非常高且穩定的電阻率，可實現射頻濾波器和設備的卓越性能、更低廉的使用成本以及更復雜的設備設計。

RFSi®高阻片產品組合

Okmetic 擁有豐富的RFSi®高阻片產品組合，由體電阻率高達10000歐姆-里面以上的特種硅片組成。我們的硅片產品可以根據產品和封裝需求為您定制所需的電阻率、晶向、含氧量以及厚度等。Okmetic 為您提供從380到1150微米的各種硅片厚度。我們的射頻濾波器客戶發現輕薄的硅片易于封裝設計；而在像氮化鎵外延層這類混合金屬晶格中，較厚的硅片能更好地消減極端應力。我們的銷售和技術支持將很樂意為您服務，為您定制符合需求的解決方案。

Okmetic 的 RFSi®高阻片包含以下產品：

· 高電阻率硅片

· 富陷阱結構的工程高阻片

· 工程超高電阻片

· UF- FSi®硅片（即超平高阻片）

· 高阻 BSOI 硅片，包含 C-SOI®硅片

· 用于硅上氮化鎵應用的射頻氮化鎵硅片

RFSi®硅片的優點

· 插入損耗小且可被記錄；

· 高 Q 值；

· 二次諧波特性隨工作溫度變化呈線性變化；

· 使用超平高阻硅片（UF-RFSi®）的薄膜聲表面波濾波器（TF-SAW）可擁有更多新穎的設計選擇；

· 采用高阻片特性結合到腔體 SOI 硅片，實現懸空的低損耗結構。

A-MCz®晶體生長方式對比區熔法

· 區熔法制備的單晶硅電阻率很高，A-MCz®晶體生長方式相對更具成本優勢，特別是制備200毫米的單晶硅棒；

· 晶向可使用 <111>；

· 優化了氧含量范圍以增加客戶工藝中的硅片強度，不易滑落或破損；

· 通過構建富陷阱層，Okmetic 的工程 A-MCz®硅片能夠更好地滿足客戶的特定工藝/產品。

  

RFSi?硅片：射頻濾波器的高阻片

RFSi?硅片：射頻濾波器的高阻片

常規 RFSi®硅片的規格：

晶體生長方式	MCz, A-MCz®
硅片直徑	150 mm, 200 mm
晶向	<100>, <111>
N 型摻雜劑	磷
P 型摻雜劑	硼
電阻率	高達 >10000 歐姆-厘米
氧含量	一般 ≤ 5ppma 或 ≤10ppma（ASTM F121-83），可根據客戶工藝進行優化
SSP（背面蝕刻）硅片厚度	150毫米硅片：400至1150微米；200毫米硅片：550微米到 >1150微米* *某些條件下可實現其他厚度
DSP（拋光背面）硅片厚度	150毫米硅片：380至 >1150微米；200毫米硅片：380微米到 >1150微米* *某些條件下可實現其他厚度

 

RFSi?硅片：射頻濾波器的高阻片

RFSi?硅片：射頻濾波器的高阻片