TSV 硅片：硅通孔技術

使用多晶硅填充 TSV，Okmetic 的硅片可實現 MEMS 的三維集成和先進的晶圓級封裝。我們的 TSV 蝕刻在雙拋片（DSP）上，隨后在設備制造商處通過背面研磨的工藝顯露出來。

Okmetic的多晶硅填充 TSV 可以實現通過硅片的電隔離連接，這有助于減小 MEMS 器件的裸片尺寸，并實現了層間的電互連和 MEMS 的三維集成。在諧振器和慣性傳感器等傳感器應用中，我們的 TSV 硅片用作中介層和封帽硅片。

Okmetic 的 TSV 硅片采用先通孔（Via-First）的方式制造——先在雙面拋光片上蝕刻，再使用熱氧化物絕緣層和原位摻硼多晶硅填充的通孔/溝槽作為互連材料。按照這種方法，TSV 在早期階段就可以集成到硅片上，設備制造商只需在后續工藝中通過背面研磨或其他硅片減薄方法將其顯現出來。帶有硅通孔的雙拋片（DSP）也可以和 SOI 硅片相結合。客戶可以使用常用的陽極、金屬或玻璃熔塊鍵合的方式將 TSV 硅片與其他晶圓相鍵合。

TSV 硅片和 C-SOI®硅片的組合

傳感器的晶圓級封裝須要通孔垂直互連技術，以便使用標準的倒裝芯片組裝工藝。在先進的 MEMS 生產中，腔體 SOI（C-SOI®）硅片通過鍵合與 TSV 硅片相結合。這大大簡化了晶圓級封裝和異構芯片的集成，因此實現了更小的裸片尺寸和更具成本效益的封帽和組裝工藝流程。

更小的裸片尺寸和簡化的集成工藝

Okmetic 使用多晶硅填充的 TSV 硅片適用于高溫的工藝，其潔凈度完全符合 CMOS 的制造標準。多晶硅通孔只含有硅和熱二氧化硅，其眾所周知的材料特性使得硅通孔堅固耐用且易于集成。客戶可以使用金屬互連和凸點，在鍵合和減薄后與多晶硅通孔建立電氣互連。憑借其均勻的電阻率、低通孔電阻和電容，多晶硅通孔在 MEMS 器件中表現出卓越的性能。

在 MEMS 設備中展現的性能：

· 硅片之間以及硅片內的均勻電阻率（<5%）

· 電阻10-15歐姆（直徑為30微米、厚度為200微米）

· 電容 < 5pF （2微米熱氧化物絕緣層）

· 漏電流 < 5pA@100V （2微米熱氧化物）

按需定制的 TSV 硅片設計

Okmetic 的 TSV 蝕刻在雙面拋光的（DSP）硅片上，厚度的均勻性和晶向的準確率都很出色，同時其晶體質量和同質性也是一流的。我們經驗豐富的銷售和技術支持很樂意幫助客戶找到較佳的解決方案，就 TSV 硅片的具體細節進行進一步磋商，譬如硅片厚度、通孔尺寸、間距、電阻率、電容、布局和隔離電阻等。

TSV 硅片：硅通孔技術

TSV 硅片：硅通孔技術

用于 TSV 技術的雙拋片（DSP）規格

晶體生長方式	Cz, MCz, A-MCz®
直徑	150mm, 200mm
晶向	<100>、 <110>、<111>、偏向
N 型摻雜劑	磷
P 型摻雜劑	硼
電阻率	從 <0.001到 >7000 歐姆-厘米
厚度	670 微米到 >1000 微米
厚度公差	±5 微米

TSV 設計

寬度	7至30微米
長度	> 2倍寬度
深度	< 250微米
縱橫比	< 10
通孔密度	< 20個/平方毫米
隔離氧化層厚度	0.5…2.0微米
通孔凹陷	< 0.5微米
通孔電阻率	< 5毫歐-厘米（原位摻硼多晶硅）

 

TSV 硅片：硅通孔技術

TSV 硅片：硅通孔技術