SOI 硅片：絕緣體上硅技術(shù)

Okmetic 是較早將絕緣體上硅技術(shù)和 SOI 硅片引入 MEMS 行業(yè)的硅片供應(yīng)商之一，目前公司已經(jīng)量產(chǎn) SOI 硅片超過(guò)20年。SOI 硅片是在絕緣氧化物上有一層薄硅膜的硅片，其生產(chǎn)需要非常高水準(zhǔn)的專業(yè)技術(shù)。SOI 硅片有益于制造MEMS、傳感器、功率和射頻設(shè)備。這些設(shè)備器件被用于汽車和醫(yī)療保健應(yīng)用、智能腕帶、智能手機(jī)和平板電腦等終端。同時(shí)，利用傳感器提供的數(shù)據(jù)，器件也能夠被用于物聯(lián)網(wǎng)相關(guān)的應(yīng)用設(shè)備，實(shí)現(xiàn)設(shè)備間的通信。

Okmetic 的 SOI 硅片是通過(guò)鍵合技術(shù)制造的——將兩片硅片鍵合在一起并在其間留下絕緣氧化層。傳感元件和 IC 器件通常構(gòu)建在頂層器件層上。中間的埋氧層是極好的電絕緣層，也是有效的刻蝕停止層，同時(shí)也可以作為犧牲層。底層起支撐作用，但也可以用于密封結(jié)構(gòu)或作為傳感元件或設(shè)備的一部分。

SOI 硅片全系列

Okmetic 擁有 SOI 硅片制造的自主可控能力，將自主研發(fā)成果運(yùn)用到企業(yè)生產(chǎn)中，有能力把控每個(gè)關(guān)鍵的硅片參數(shù)，確保 SOI 硅片的較高品質(zhì)。我們擁有市場(chǎng)上完整的硅片產(chǎn)品組合，支持客戶的各種選擇，譬如較佳的導(dǎo)電性和不同的晶體轉(zhuǎn)向可以確保更好地利用硅的各向異性特性。我們的銷售和技術(shù)支持很樂(lè)意幫助您找到適合您設(shè)備和工藝需求的完美硅基解決方案。

Okmetic 的 SOI 硅片產(chǎn)線包含以下產(chǎn)品：

· BSOI 硅片：鍵合 SOI 硅片（包含不同的 BSOI 硅片類別，譬如 0.3 SOI、DSOI、LSOI 和厚 SOI）

· C-SOI®硅片：埋層腔體型 SOI 硅片（包含不同的 C-SOI®硅片類別，譬如 EC-SOI、雙層 C-SOI®、帶圖案化器件層的 C-SOI®、帶多通孔的 C-SOI®）

· E-SOI®硅片：具有嚴(yán)格厚度均勻性的增強(qiáng)型 SOI

· 無(wú)臺(tái)階型 BSOI 和 E-SOI®硅片

· 高阻 BSOI 硅片是我們 RFSi®硅片系列的其中一種

SOI 硅片：絕緣體上硅技術(shù)

SOI 硅片：絕緣體上硅技術(shù)

常規(guī) SOI 硅片的規(guī)格

晶體生長(zhǎng)方式	Cz, MCz, A-MCz®
硅片直徑	150 mm, 200 mm
晶向	<100>, <110>,<111>
N型摻雜劑	磷
P型摻雜劑	硼
電阻率	從 <0.001到 >7000 歐姆-厘米
器件層厚度	1 微米 到 > 200微米 公差 ±0.5微米（標(biāo)準(zhǔn) BSOI）、±0.3微米（0.3 SOI）、±0.1微米（E-SOI®）、±0.5微米或更低（C-SOI®）
埋氧層厚度	0.3微米到4微米，通常在0.5微米到2微米之間 類型：熱氧化物
底層硅片厚度	300微米到950微米，200毫米硅片的底層硅片厚度通常為725微米，150毫米硅片的底層硅片厚度通常為380微米
背面	拋光或刻蝕
臺(tái)階區(qū)域	標(biāo)準(zhǔn)或無(wú)臺(tái)階型（適用于200毫米的 BSOI 和 E-SOI®硅片）

 

SOI 硅片：絕緣體上硅技術(shù)

SOI 硅片：絕緣體上硅技術(shù)